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[6기]반도체 집적화 기술 전문가 과정

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[6기]반도체 집적화 기술 전문가 과정

신청기간
2022.04.01 00:00 - 2022.04.30 23:59
기간
2022.05.01 - 2022.07.10
교육시간
20시간
  • 과정 [6기]반도체 집적화 기술 전문가 과정 500,000원

판매금액 배송금액 원 할인금액

총 결제금액원

이 과정은 신청이 마감되어, 패키지 과정으로 수강신청 하실 수 있습니다.
과정소개의 '이 과정이 포함된 패키지'를 참고하세요.

 

수강신청 시 유의사항

※ 회원 가입 시 소속기관명 (회사명, 학교명 등)을 입력해 주세요.(권장 사항)

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※ 학생이 수강 시에는 학생증 또는 재학증명서를 제출하셔야 학생 할인을 적용 받으실 수 있습니다.

    (학생할인수강료 : 35만원)

 

※ 얼리버드 할인 기간 : 4월 1일 ~ 4월 15일까지 수강신청 및 결제완료 시 적용됩니다.

    얼리버드 할인 시 수강료 : 450,000 원 ( 10% 할인적용금액, 학생은 315,000원)

 

  <학생 할인 적용 방법>

    1) 본 사이트의 회원가입 후 가입한 아이디, 성명, 수강신청할 과정명, 재학증명서 또는 학생증 사본을 nextcampus@motiv.kr 메일로 보내주세요. 

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        (예 :  학번이 20210123의 경우,  2021**** 식으로 뒷자리는 마킹처리, 마킹처리 안되어 있을 시 할인적용 불가)

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학습목표

1) 반도체 기초공학 및 반도체 지식 함양

2)반도체 집적화 기술 전문성 함양

3)반도체 집적화 기술의 문제점 이해 및 극복기술 능력 배양

이 과정이 포함된 패키지

과정이미지

[6기] HY 반도체 마이스터 디그리 패키지 ...

  • 기간

강의목차(총 21강)

1. 오리엔테이션(집적화기술) 3분

[1주차] 반도체 집적화 과정 이해를 위한 반도체 공학 기초강의섹션버튼이미지

2. 1주차 학습내용 및 학습목표 소개 7분

3. [집적화-1주차] Logic Device와 Memory Device의 종류 / 2. MOS Tr의 동작원리 기본 30분

[2주차] 반도체 집적화 과정이란 무엇인가 ?강의섹션버튼이미지

4. 2주차 학습내용 및 학습목표 소개 2분

5. [집적화-2주차] 반도체 소자의 탄생과 집적화 기술의 역사 / 2. CMOS Logic Gate의 장점과 Logic Gate 구성 및 동작 / 3. CMOS Inverter Logic Gate의 Mask상 회로 기판 / 4. CMOS Inverter Logic Gate의 집적화 과정 및 공정 프로세스 20분

[3주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM I강의섹션버튼이미지

6. 3주차 학습내용 및 학습목표 소개(집적화기술) 3분

7. [집적화-3주차] DRAM unit cell의 구조 변화 과정 / 2. DRAM의 Sense Amp 동작 과정 32분

[4주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM II강의섹션버튼이미지

8. 4주차 학습내용 및 학습목표 소개 3분

9. [집적화-4주차] 반도체 DRAM을 제조하기 위한 공정 흐름 / 2. DRAM Scaling 31분

[5주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory I강의섹션버튼이미지

10. 5주차 학습내용 및 학습목표 소개 1분

11. [집적화-5주차] 비휘발성 메모리 History, NAND Flash Memory 탄생 / 2. NAND 단위 Cell 및 String 의 동작, 주요 특성 / 3. 2D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 제작 공정 순서 20분

[6주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory II강의섹션버튼이미지

12. 6주차 학습내용 및 학습목표 소개 1분

13. [집적화-6주차] 2D NAND Flash Memory의 Scaling 문제점 및 극복 기술 / 2. 3D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 주요 공정 기술 / 3. 3D NAND Flash Memory의 실물 Cell 사진을 통한 구조 학습 37분

[7주차] Emerging Memory I (PRAM, X-point)강의섹션버튼이미지

14. 7주차 학습내용 및 학습목표 소개 2분

15. [집적화-7주차] PRAM의 Cell 구조 및 동작 방법 / 2. PRAM의 집적화 과정 및 주요 공정 단계 / 3. PRAM 기술 기반 X-point Array 구조 및 집적화 과정, 주요 공정 단계 21분

[8주차] Emerging Memory II (MRAM)강의섹션버튼이미지

16. 8주차 학습내용 및 학습목표 소개 2분

17. [집적화-8주차] In-Plane MRAM: 수평 자성 메모리 소자 / 2. Perpendicular MTJ (수직 MTJ 소자) / 3. Spin transfer torque (STT): 스핀 전달 토크 25분

[9주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic I강의섹션버튼이미지

18. 9주차 학습내용 및 학습목표 소개 3분

19. [집적화-9주차] Logic 반도체 소자의 스케일링 / 2. Logic 반도체의 전망 / 3. 2D 구조의 CMOS Logic 반도체 소자 집적화 단위 공정과 반도체 8대 공정 적용 41분

[10주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic II강의섹션버튼이미지

20. 10주차 학습내용 및 학습목표 소개 3분

21. [집적화-10주차] Logic 반도체 Scaling에 따른 고유전 상수 및 금속 전극 재료, Strain Engineering 도입 / 2. 3차원 구조 Transistor 33분