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클래스
4차 산업 분야의 직무능력 향상을 위한 콘텐츠
컨텐츠 내용
- 수강신청
- 과정정보

이 과정이 포함된 패키지
No. | 패키지명 | 신청기간 | 상세보기 |
---|---|---|---|
1 | [6기] HY 반도체 마이스터 디그리 패키지 ... | 2022.04.01 - 2022.04.30 | 상세보기 |
과정소개
수강신청 시 유의사항
※ 회원 가입 시 소속기관명 (회사명, 학교명 등)을 입력해 주세요.(권장 사항)
(소속기관명(회사, 학교 등)은 '나의강의실 > 회원정보수정'에서 추가적으로 입력 할 수 있습니다.)
※ 학생이 수강 시에는 학생증 또는 재학증명서를 제출하셔야 학생 할인을 적용 받으실 수 있습니다.
(학생할인수강료 : 35만원)
※ 얼리버드 할인 기간 : 4월 1일 ~ 4월 15일까지 수강신청 및 결제완료 시 적용됩니다.
얼리버드 할인 시 수강료 : 450,000 원 ( 10% 할인적용금액, 학생은 315,000원)
<학생 할인 적용 방법>
1) 본 사이트의 회원가입 후 가입한 아이디, 성명, 수강신청할 과정명, 재학증명서 또는 학생증 사본을 nextcampus@motiv.kr 메일로 보내주세요.
2) 개인정보 보호 차원에서 재학증명서 및 학생증의 경우, 학번의 연도식별이 가능한 부분이외에는 마킹처리 부탁드립니다.
(예 : 학번이 20210123의 경우, 2021**** 식으로 뒷자리는 마킹처리, 마킹처리 안되어 있을 시 할인적용 불가)
3) 보내주신 정보가 확인되면, 신청하신 아이디로 '쿠폰번호'를 발급해 드립니다. (자동등록)
4) 쿠폰번호가 등록이 되면 '나의강의실' 클릭, 화면 왼쪽에 나오는 메뉴 중 '쿠폰관리'에서 쿠폰번호를 확인 할 수 있습니다.
5) 수강하고자 하는 강의로 이동, '수강신청 > 결제하기 '에서 '할인적용' 버튼 클릭 후 등록한 쿠폰을 선택하여 사용하시면 됩니다.
학습목표
2)반도체 집적화 기술 전문성 함양
3)반도체 집적화 기술의 문제점 이해 및 극복기술 능력 배양
차시 | 강의명 |
---|---|
1차시 | 오리엔테이션(집적화기술) |
[1주차] 반도체 집적화 과정 이해를 위한 반도체 공학 기초 | |
2차시 | 1주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
3차시 | [집적화-1주차] Logic Device와 Memory Device의 종류 / 2. MOS Tr의 동작원리 기본 |
[2주차] 반도체 집적화 과정이란 무엇인가 ? | |
4차시 | 2주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
5차시 | [집적화-2주차] 반도체 소자의 탄생과 집적화 기술의 역사 / 2. CMOS Logic Gate의 장점과 Logic Gate 구성 및 동작 / 3. CMOS Inverter Logic Gate의 Mask상 회로 기판 / 4. CMOS Inverter Logic Gate의 집적화 과정 및 공정 프로세스 |
[3주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM I | |
6차시 | 3주차 학습내용 및 학습목표 소개(집적화기술) |
7차시 | [집적화-3주차] DRAM unit cell의 구조 변화 과정 / 2. DRAM의 Sense Amp 동작 과정 |
[4주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM II | |
8차시 | 4주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
9차시 | [집적화-4주차] 반도체 DRAM을 제조하기 위한 공정 흐름 / 2. DRAM Scaling |
[5주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory I | |
10차시 | 5주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
11차시 | [집적화-5주차] 비휘발성 메모리 History, NAND Flash Memory 탄생 / 2. NAND 단위 Cell 및 String 의 동작, 주요 특성 / 3. 2D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 제작 공정 순서 |
[6주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory II | |
12차시 | 6주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
13차시 | [집적화-6주차] 2D NAND Flash Memory의 Scaling 문제점 및 극복 기술 / 2. 3D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 주요 공정 기술 / 3. 3D NAND Flash Memory의 실물 Cell 사진을 통한 구조 학습 |
[7주차] Emerging Memory I (PRAM, X-point) | |
14차시 | 7주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
15차시 | [집적화-7주차] PRAM의 Cell 구조 및 동작 방법 / 2. PRAM의 집적화 과정 및 주요 공정 단계 / 3. PRAM 기술 기반 X-point Array 구조 및 집적화 과정, 주요 공정 단계 |
[8주차] Emerging Memory II (MRAM) | |
16차시 | 8주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
17차시 | [집적화-8주차] In-Plane MRAM: 수평 자성 메모리 소자 / 2. Perpendicular MTJ (수직 MTJ 소자) / 3. Spin transfer torque (STT): 스핀 전달 토크 |
[9주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic I | |
18차시 | 9주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
19차시 | [집적화-9주차] Logic 반도체 소자의 스케일링 / 2. Logic 반도체의 전망 / 3. 2D 구조의 CMOS Logic 반도체 소자 집적화 단위 공정과 반도체 8대 공정 적용 |
[10주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic II | |
20차시 | 10주차 학습내용 및 학습목표 소개 |
21차시 | [집적화-10주차] Logic 반도체 Scaling에 따른 고유전 상수 및 금속 전극 재료, Strain Engineering 도입 / 2. 3차원 구조 Transistor |