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클래스

4차 산업 분야의 직무능력 향상을 위한 콘텐츠

컨텐츠 내용

  1. 수강신청
  2. 과정정보
과정 이미지
[3기]반도체 집적화 기술 전문가 과정
[3기]반도체 집적화 기술 전문가 과정 과정정보
신청기간 2021.10.01 - 2021.11.10
교육기간 2021.11.01 - 2022.01.09
교육시간 20시간
수강료 500,000원
  • 이 과정은 패키지과정으로 수강하실 수 있습니다.
    하단 패키지 목록을 참고하세요.
이 과정이 포함된 패키지
패키지목록
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1 [3기]HY 반도체 마이스터 디그리 패키지 과... 2021.10.01 - 2021.10.31 상세보기
과정소개

 

수강신청 시 유의사항

※ 회원 가입 시 소속기관명 (회사명, 학교명 등)을 입력해 주세요.(권장 사항)

    (소속기관명(회사, 학교 등)은 '나의강의실 > 회원정보수정'에서 추가적으로 입력 할 수 있습니다.)

 

학생이 수강 시에는 학생증 또는 재학증명서를 제출하셔야 학생 할인을 적용 받으실 수 있습니다.

    (학생할인수강료 : 35만원)

 

※ 얼리버드 할인 기간 : 10월 5일 ~ 10월 15일까지 수강신청 및 결제완료 시 적용됩니다.

    얼리버드 할인 시 수강료 : 450,000 원 ( 10% 할인적용금액, 학생은 315,000원)

 

  <학생 할인 적용 방법>

    1) 본 사이트의 회원가입 후 가입한 아이디와 성명, 수강신청할 과정명, 재학증명서 또는 학생증 사본을 nextcampus@motiv.kr 메일로 보내주세요. 

    2) 개인정보 보호 차원에서 재학증명서 및 학생증의 경우, 학번의 연도식별이 가능한 부분이외에는 마킹처리 부탁드립니다.

        (예 :  학번이 20210123의 경우,  2021**** 식으로 뒷자리는 마킹처리, 마킹처리 안되어 있을 시 할인적용 불가)

    3) 보내주신 정보가 확인되면,  신청하신 아이디로 '쿠폰번호'를 발급해 드립니다. (자동등록)

    4) 쿠폰번호가 등록이 되면 '나의강의실' 클릭, 화면 왼쪽에 나오는 메뉴 중 '쿠폰관리'에서 쿠폰번호를 확인 할 수 있습니다. 

    5) 수강하고자 하는 강의로 이동,  '수강신청 > 결제하기 '에서 '할인적용' 버튼 클릭 후  등록한 쿠폰을 선택하여 사용하시면 됩니다. 


 

학습목표
1) 반도체 기초공학 및 반도체 지식 함양

2)반도체 집적화 기술 전문성 함양

3)반도체 집적화 기술의 문제점 이해 및 극복기술 능력 배양
강의목차
차시 강의명
1차시 오리엔테이션(집적화기술)
[1주차] 반도체 집적화 과정 이해를 위한 반도체 공학 기초
2차시 1주차 학습내용 및 학습목표 소개
3차시 [집적화-1주차] Logic Device와 Memory Device의 종류 / 2. MOS Tr의 동작원리 기본
[2주차] 반도체 집적화 과정이란 무엇인가 ?
4차시 2주차 학습내용 및 학습목표 소개
5차시 [집적화-2주차] 반도체 소자의 탄생과 집적화 기술의 역사 / 2. CMOS Logic Gate의 장점과 Logic Gate 구성 및 동작 / 3. CMOS Inverter Logic Gate의 Mask상 회로 기판 / 4. CMOS Inverter Logic Gate의 집적화 과정 및 공정 프로세스
[3주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM I
6차시 3주차 학습내용 및 학습목표 소개(집적화기술)
7차시 [집적화-3주차] DRAM unit cell의 구조 변화 과정 / 2. DRAM의 Sense Amp 동작 과정
[4주차] 반도체 집적화 기술 과정 : DRAM II
8차시 4주차 학습내용 및 학습목표 소개
9차시 [집적화-4주차] 반도체 DRAM을 제조하기 위한 공정 흐름 / 2. DRAM Scaling
[5주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory I
10차시 5주차 학습내용 및 학습목표 소개
11차시 [집적화-5주차] 비휘발성 메모리 History, NAND Flash Memory 탄생 / 2. NAND 단위 Cell 및 String 의 동작, 주요 특성 / 3. 2D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 제작 공정 순서
[6주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Flash Memory II
12차시 6주차 학습내용 및 학습목표 소개
13차시 [집적화-6주차] 2D NAND Flash Memory의 Scaling 문제점 및 극복 기술 / 2. 3D NAND Flash Memory의 집적화 과정 및 주요 공정 기술 / 3. 3D NAND Flash Memory의 실물 Cell 사진을 통한 구조 학습
[7주차] Emerging Memory I (PRAM, X-point)
14차시 7주차 학습내용 및 학습목표 소개
15차시 [집적화-7주차] PRAM의 Cell 구조 및 동작 방법 / 2. PRAM의 집적화 과정 및 주요 공정 단계 / 3. PRAM 기술 기반 X-point Array 구조 및 집적화 과정, 주요 공정 단계
[8주차] Emerging Memory II (MRAM)
16차시 8주차 학습내용 및 학습목표 소개
17차시 [집적화-8주차] In-Plane MRAM: 수평 자성 메모리 소자 / 2. Perpendicular MTJ (수직 MTJ 소자) / 3. Spin transfer torque (STT): 스핀 전달 토크
[9주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic I
18차시 9주차 학습내용 및 학습목표 소개
19차시 [집적화-9주차] Logic 반도체 소자의 스케일링 / 2. Logic 반도체의 전망 / 3. 2D 구조의 CMOS Logic 반도체 소자 집적화 단위 공정과 반도체 8대 공정 적용
[10주차] 반도체 집적화 기술 과정 : Logic II
20차시 10주차 학습내용 및 학습목표 소개
21차시 [집적화-10주차] Logic 반도체 Scaling에 따른 고유전 상수 및 금속 전극 재료, Strain Engineering 도입 / 2. 3차원 구조 Transistor